Infineon Technologies / メモリ
(SRAM / nvSRAM：不揮発性SRAM / PSRAM)

HYPERRAM^™は、HYPERBUS^™インターフェースを備えた高速CMOSセルフリフレッシュ型DRAMです。
メモリアレイは、内部的にDRAMのように構成されていますが、外部的にはSRAMのように動作します。
DRAMアレイは、データ保持のために定期的なリフレッシュが必要です。
HYPERRAM^™はホストがリフレッシュ動作を管理する必要がないため、DRAMアレイはホストから見ると、リフレッシュしなくてもデータを保持するスタティックセルに見えます。
そのため、HYPERRAM^™は疑似スタティックRAM (PSRAM) としても呼ぶことができます。

HYPERRAM^™のChipset partnerの詳細はメーカーサイトをご参照ください。

● 省電力モード：Hybrid Deep SleepとPartial Array Refreshによるエネルギー効率化

• Hybrid Deep Sleep
  HYPERRAM^™がシステム動作に必要でなく、デバイス内のデータを保持する必要がある場合、 より多くの電力を節約するためにハイブリッド・スリープ状態にすることができます。
  ハイブリッド・スリープ状態に入るためには、デバイスコンフィグレーションレジスタの関連ビットに「0」を書き込みます。メモリスペースとレジスタスペースのデータは、ハイブリッド・スリープ状態の間保持されます。
  CS#を LOW にすると、デバイスは ハイブリッド・スリープ状態を終了し、関連するビットは「1」になります。また、POR またはハードウェアリセットにより、デバイスはハイブリッドスリープ状態を終了します。
• Partial Array Refresh
  HYPERRAM™のリフレッシュ動作を、パーシャル・アレイ・リフレッシュ・コンフィグレーションで指定されたメモリ・アレイの一部に制限します。
  これによりスタンバイ電流が減少します。デフォルトのコンフィグレーションは、アレイ全体をリフレッシュします。

● 小型フットプリント：BGAパッケージの使用によりPCBの装エリアの省スペース化

 

● 少ピン数 : 少ピン数により、設計の簡素化とシステムコストの削減が可能

 

● 高いスループット：システムパフォーマンスを最大限に引き出す高いリード/ライト帯域幅に対応

• HYPERRAM^™ 2.0は、インフィニオンの第2世代の少ピン数PSRAMで、最大400MBpsのスループットに対応しています。
  第3世代pSRAM製品であるHYPERRAM^™ 3.0は、HYPERBUS^™インターフェースの新しい16ビット拡張バージョンを使用して、スループットを800MBpsに倍増させます。
  256MbのHYPERRAM^™ 3.0製品は、現在量産中です。

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