Infineon Technologies / パワー半導体(SiC MOSFET)

SiC MOSFETは、IGBTやMOSFET等の従来のSiベースのスイッチと比較すると多くの利点を持っており、これにより製品設計のブレークスルーを可能にします。

インフィニオンは、過去30年間で培ったSiC(シリコンカーバイド)の研究開発及び量産のノウハウに基づき、革新的なSiC MOSFET技術の製品(CoolSiC™ MOSFET)を提供します。
CoolSiC™ MOSFETは、2000V、1700V、1200V、650Vの製品に利用可能です。
ターゲットとなるアプリケーションは、太陽光発電インバータ、バッテリー充電、エネルギー貯蔵、モータードライブ、UPS、補助電源、SMPS等、多岐に渡りこれまでにないレベルの効率やシステムの信頼性・柔軟性の実現に貢献します。

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CoolSiC™ MOSFETディスクリート

CoolSiC™ MOSFETディスクリート製品は、650V、1200V、1700Vおよび2000Vの電圧クラス、オン抵抗は7mΩ～1000mΩでパッケージも
SMT(Surface mount technology)およびTHT(Through hole technology)のラインアップをご提供しています。

製品ラインアップ

650V CoolSiC™ MOSFETディスクリート

	RSD(on)【mΩ】	TO-247-3	TO-247-4	D²PAK-7L
650V
	22	－	－	IMBG65R022M1H
	27	IMW65R027M1H	IMZA65R027M1H	－
	30	IMW65R030M1H	IMZA65R030M1H	IMBG65R030M1H
	39	IMW65R039M1H	IMZA65R039M1H	IMBG65R039M1H
	48	IMW65R048M1H	IMZA65R048M1H	IMBG65R048M1H
	57	IMW65R057M1H	IMZA65R057M1H	IMBG65R057M1H
	72	IMW65R072M1H	IMZA65R072M1H	IMBG65R072M1H
	83	IMW65R083M1H	IMZA65R083M1H	IMBG65R083M1H
	107	IMW65R107M1H	IMZA65R107M1H	IMBG65R107M1H
	163	－	－	IMBG65R163M1H
	260	－	－	IMBG65R260M1H

1200V, 1700V CoolSiC™ MOSFETディスクリート

	RSD(on)【mΩ】	TO-247-3	TO-247-4	D²PAK-7L	D²PAK-7L High-creepage
1200V
	7	IMW120R007M1H※	IMZA120R007M1H※	－	－
	14	IMW120R014M1H※	IMZA120R014M1H※	－	－
	20	IMW120R020M1H※	IMZA120R020M1H※	－	－
	30	IMW120R030M1H	IMZ120R030M1H	IMBG120R030M1H※	－
	40	IMW120R040M1H※	IMZA120R040M1H※	－	－
	45	－	－	IMBG120R045M1H※	－
	60	IMW120R060M1H	IMZ120R060M1H	IMBG120R060M1H※	－
	90	IMW120R090M1H	IMZ120R090M1H	IMBG120R090M1H※	－
	140	IMW120R140M1H	IMZ120R140M1H	IMBG120R140M1H※	－
	220	IMW120R220M1H	IMZ120R220M1H	IMBG120R220M1H※	－
	350	IMW120R350M1H	IMZ120R350M1H	IMBG120R350M1H※	－
1700V
	450	－	－	－	IMBF170R450M1
	650	－	－	－	IMBF170R650M1
	1000	－	－	－	IMBF170R1K0M1

※：.XT接合品

2000V CoolSiC™ MOSFETディスクリート

	RSD(on)【mΩ】	TO-247-4
2000V
	12	IMYH200R012M1H※
	24	IMYH200R024M1H※
	50	IMYH200R050M1H※
	75	IMYH200R075M1H※
	100	IMYH200R100M1H※

※：.XT接合品

既存の1200Vデバイスと2kV SiCで実現できるソリューションの比較

.XT接合による熱特性の大幅な向上

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CoolSiC™ MOSFET パワーモジュール

CoolSiC^™ MOSFETを備えたパワーモジュールは、インバータ設計者がこれまでにないレベルの効率と電力密度を実現するための新しい機会を開きます。
加えて、シリコンカーバイド (SiC) は、52.9mΩ から 1.47mΩ R_{DS on}までのさまざまな利用可能なトポロジによってアプリケーションのニーズに合わせて調整されています。
3レベル、デュアル、4パック、6パック、またはブースターなどのさまざまな構成で利用可能な1200V SiC MOSFETモジュールは、最先端のトレンチ設計によって実現される優れたゲート酸化物の信頼性を提供し、クラス最高のスイッチング損失と導通損失を実現します。また、 2000Vでデュアル構成のSiC MOSFETモジュールを提供可能です。

さまざまなハウジング形状

CoolSiC^™ MOSFET 1200V M1Hシリーズ

特長

●

ドレイン・ソース間オン抵抗R_{DS on}の改善：同じチップサイズとアプリケーション関連の温度が～12% 向上
●

より広いゲート・ソース電圧領域により最高の柔軟性を実現：低いオン抵抗 (V_GS = 18V) または短絡回路 (V_GS = 15V) 向けに最適化
●

最大ジャンクション温度175℃：故障イベントをカバー、より高い電力密度を実現するための過負荷能力
●

新しいチップサイズの展開：最も広範な産業ポートフォリオを保証する柔軟性
●

無制限の安定性：ゲートしきい値電圧の安定性 (AN2019-09更新)

62mmモジュール(1200V)
製品ラインアップ

R_{DS on} (mΩ)	ID nom（A）	型番
1.47	560	FF1MR12KM1H(P)
1.96	420	FF2MR12KM1H(P)
5.50	180	FF6MR12KM1H(P)

パッケージ

デュアル

61.4 ×　106.4　×　30.9

EasyPAC^™ モジュール(Half-bridge,Sixpack)

製品ラインアップ

R _DSON (mΩ)	1200V Half-bridge			1200V Sixpack
R _DSON (mΩ)	Easy 1B	Easy 2B	Easy 3B	Easy 1B	Easy 2B
52.9	FF55MR12W1M1H_B11 FF55MR12W1M1H_B70			FS55MR12W1M1H_B11
32.3	FF33MR12W1M1H(P)_B11			FS33MR12W1M1H_B11 FS33MR12W1M1H_B70
26.4	FS28MR12W1M1H_B11
16.2	FF17MR12W1M1H(P)_B11 FF17MR12W1M1H_B70
11.7					FS13MR12W2M1HP_B11 FS13MR12W2M1H_B70 FS13MR12W2M1H_C55
10.8		FF11MR12W2M1HP_B11 FF11MR12W2M1H_B70
8.1	FF8MR12W1M1H_B11 FF8MR12W1M1H_B70
4.0		FF4MR12W2M1H(P)_B11 FF4MR12W2M1H_B70
5.4		FF6MR12W2M1H(P)_B11 FF6MR12W2M1H_B70
1.44			FF2MR12W3M1H_B11

パッケージ

Half-bridge

Sixpack

Easy 1B
62.8 ×　33.8　×　12.0

Easy 2B
62.8 ×　56.7　×　12.0

Easy 3B
62.0 ×　109.9　×　12.2

CoolSiC^™ MOSFET 2000V M1Hシリーズ

特長

●

ドレイン・ソース間オン抵抗R_{DS on}の改善
～10%：V_GS(on)+15V / ジャンクション温度25℃
～25% ：V_GS(on)+18V / ジャンクション温度25℃
●

より高いゲート・ソース間電圧：R_{DS on}+18Vで最高の電力処理能力
●

V_GSSの拡大：rec.V_GS と max.V_GSS の間に5Vのマージン → V_GS = 5V (max. 10V) / +18V (max. +23V)
●

ゲートしきい値電圧ドリフトの減少 (AN2019-09)