Infineon Technologies / パワー半導体(SiC MOSFET)

SiC MOSFETは 、IGBTやMOSFET等の従来のSiベースのスイッチと比較すると多くの利点を持っており、これにより製品設計のブレークスルーを可能にします。

インフィニオンは、過去30年間で培ったSiC(シリコンカーバイド)の研究開発及び量産のノウハウに基づき、革新的なSiC MOSFET技術の製品(CoolSiC™ MOSFET)を提供します。
CoolSiC™ MOSFETは、2000V、1700V、1200V、650Vの製品に利用可能です。
ターゲットとなるアプリケーションは、太陽光発電インバータ、バッテリー充電、エネルギー貯蔵、モータードライブ、UPS、補助電源、SMPS等、多岐に渡りこれまでにないレベルの効率やシステムの信頼性・柔軟性の実現に貢献します。

関連記事:<設計・受託量産>パワー半導体を用いた開発

CoolSiC™ MOSFETディスクリート

CoolSiC™ MOSFETディスクリート製品は、650V、1200V、1700Vおよび2000Vの電圧クラス、オン抵抗は7mΩ~1000mΩでパッケージも
SMT(Surface mount technology)およびTHT(Through hole technology)のラインアップをご提供しています。

製品ラインアップ

650V CoolSiC™ MOSFETディスクリート

RSD(on)【mΩ】 TO-247-3
TO-247-4
D2PAK-7L
650V
22 IMBG65R022M1H
27 IMW65R027M1H IMZA65R027M1H
30 IMW65R030M1H IMZA65R030M1H IMBG65R030M1H
39 IMW65R039M1H IMZA65R039M1H IMBG65R039M1H
48 IMW65R048M1H IMZA65R048M1H IMBG65R048M1H
57 IMW65R057M1H IMZA65R057M1H IMBG65R057M1H
72 IMW65R072M1H IMZA65R072M1H IMBG65R072M1H
83 IMW65R083M1H IMZA65R083M1H IMBG65R083M1H
107 IMW65R107M1H IMZA65R107M1H IMBG65R107M1H
163 IMBG65R163M1H
260 IMBG65R260M1H

 

1200V, 1700V CoolSiC™ MOSFETディスクリート

RSD(on)【mΩ】 TO-247-3
TO-247-4
D2PAK-7L
D2PAK-7L
High-creepage
1200V
7 IMW120R007M1H IMZA120R007M1H
14 IMW120R014M1H IMZA120R014M1H
20 IMW120R020M1H IMZA120R020M1H
30 IMW120R030M1H IMZ120R030M1H IMBG120R030M1H
40 IMW120R040M1H IMZA120R040M1H
45 IMBG120R045M1H
60 IMW120R060M1H IMZ120R060M1H IMBG120R060M1H
90 IMW120R090M1H IMZ120R090M1H IMBG120R090M1H
140 IMW120R140M1H IMZ120R140M1H IMBG120R140M1H
220 IMW120R220M1H IMZ120R220M1H IMBG120R220M1H
350 IMW120R350M1H IMZ120R350M1H IMBG120R350M1H
1700V
450 IMBF170R450M1
650 IMBF170R650M1
1000 IMBF170R1K0M1

:.XT接合品

 

2000V CoolSiC™ MOSFETディスクリート

RSD(on)【mΩ】 TO-247-4
2000V
12 IMYH200R012M1H
24 IMYH200R024M1H
50 IMYH200R050M1H
75 IMYH200R075M1H
100 IMYH200R100M1H

:.XT接合品

既存の1200Vデバイスと2kV SiCで実現できるソリューションの比較

.XT接合による熱特性の大幅な向上

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CoolSiC™MOSFET パワーモジュール

CoolSiC MOSFETを備えたパワーモジュールは、インバータ設計者がこれまでにないレベルの効率と電力密度を実現するための新しい機会を開きます。
加えて、シリコンカーバイド (SiC) は、52.9mΩ から 1.47mΩ RDS onまでのさまざまな利用可能なトポロジによってアプリケーションのニーズに合わせて調整されています。
3レベル、デュアル、4パック、6パック、またはブースターなどのさまざまな構成で利用可能な1200V SiC MOSFETモジュールは、最先端のトレンチ設計によって実現される優れたゲート酸化物の信頼性を提供し、クラス最高のスイッチング損失と導通損失を実現します。また、 2000Vでデュアル構成のSiC MOSFETモジュールを提供可能です。

さまざまなハウジング形状

CoolSiC™MOSFETハウジング形状

 

CoolSiC MOSFET 1200V M1Hシリーズ

特長

  • ドレイン・ソース間オン抵抗RDS onの改善:同じチップ サイズとアプリケーション関連の温度が ~12% 向上
  • より広いゲート・ソース電圧領域により最高の柔軟性を実現:低いオン抵抗 (VGS = 18V) または短絡回路 (VGS = 15V) 向けに最適化
  • 最大ジャンクション温度175℃:故障イベントをカバー、より高い電力密度を実現するための過負荷能力
  • 新しいチップサイズの展開:最も広範な産業ポートフォリオを保証する柔軟性
  • 無制限の安定性:ゲートしきい値電圧の安定性 (AN2019-09更新)

 

62mmモジュール(1200V)
製品ラインアップ

RDS on (mΩ) ID nom(A) 型番
1.47 560 FF1MR12KM1H(P)
1.96 420 FF2MR12KM1H(P)
5.50 180 FF6MR12KM1H(P)

パッケージ

CoolSiC MOSFET62mmモジュールパッケージ
デュアル
CoolSiC MOSFET製品形状
61.4 × 106.4 × 30.9

EasyPAC モジュール(Half-bridge,Sixpack)

製品ラインアップ

R DSON
(mΩ)
1200V Half-bridge 1200V Sixpack
Easy 1B Easy 2B Easy 3B Easy 1B Easy 2B
52.9 FF55MR12W1M1H_B11
FF55MR12W1M1H_B70
FS55MR12W1M1H_B11
32.3 FF33MR12W1M1H(P)_B11 FS33MR12W1M1H_B11
FS33MR12W1M1H_B70
26.4 FS28MR12W1M1H_B11
16.2 FF17MR12W1M1H(P)_B11
FF17MR12W1M1H_B70
11.7 FS13MR12W2M1HP_B11
FS13MR12W2M1H_B70
FS13MR12W2M1H_C55
10.8 FF11MR12W2M1HP_B11
FF11MR12W2M1H_B70
8.1 FF8MR12W1M1H_B11
FF8MR12W1M1H_B70
4.0 FF4MR12W2M1H(P)_B11
FF4MR12W2M1H_B70
5.4 FF6MR12W2M1H(P)_B11
FF6MR12W2M1H_B70
1.44 FF2MR12W3M1H_B11

パッケージ

EasyPAC Half-bridge
Half-bridge
EasyPAC Sixpack
Sixpack
Easy 1B製品形状
Easy 1B
62.8 × 33.8 × 12.0
Easy 2B製品形状
Easy 2B
62.8 × 56.7 × 12.0
Easy 3B製品形状

Easy 3B
62.0 × 109.9 × 12.2

 

CoolSiC MOSFET 2000V M1Hシリーズ

特長

  • ドレイン・ソース間オン抵抗RDS onの改善
    ~10%:VGS(on)+15V / ジャンクション温度25℃
    ~25% :VGS(on)+18V / ジャンクション温度25℃
  • より高いゲート・ソース間電圧:RDS on+18Vで最高の電力処理能力
  • VGSSの拡大:rec.VGS と max.VGSS の間に5Vのマージン → VGS = 5V (max. 10V) / +18V (max. +23V)
  • ゲートしきい値電圧ドリフトの減少 (AN2019-09)

 

62mmモジュール(2000V)
製品ラインアップ

RDS on(mΩ) ID nom(A) 型番
2.60 400 FF3MR20KM1H(P)
3.50 300 FF4MR20KM1H(P)

パッケージ

CoolSiC MOSFET62mmモジュールパッケージ
デュアル
CoolSiC MOSFET製品形状
61.4 × 106.4 × 30.9

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