Infineon Technologies / パワー半導体(IGBT)
先端的イノベーションとアプリケーション重視により市場をリード
最高水準の性能と品質を追求するインフィニオンでは、さまざまなアプリケーションに特化した、他の追随を許さないディスクリートIGBT製品群（様々な電圧クラス、電流クラスのベアダイ、 ディスクリートコンポーネント 、 パワーモジュール）をご提供しています。また、各用途で最高の価値を引き出せるよう、アプリケーションに特化した新製品開発アプローチを採用しています。
IGBTディスクリート
650V CoolSiC™ Hybrid ディスクリート
●クラス最高のスイッチング損失と導通損失IGBT
●競争力のあるコストでSiC MOSFETの性能に匹敵
●センスピンによる超短IGBT応答時間
●電圧オーバーシュートの低減、低EMI
●デザインをTRENCHSTOP™5 IGBTに 簡単に置き換える （10kHzの動作周波数ごとに0.1％の効率向上）
650V CoolSiC™ Hybrid Discreteメーカー製品サイト
650V TRENCHSTOP™ 5
スイッチング損失と導通損失のトレードオフによる5つのバリエーション
●F5：スイッチング最適化(fsw：100kHz)
●WR5：導通＆スイッチング最適化(fsw：75kHz)
●H5：スイッチング最適化(fsw：50kHz)
●S5：導通＆スイッチング最適化(fsw：40kHz)
●L5：導通最適化(fsw： 10kHz)
650V TRENCHSTOP™ 5メーカー製品サイト
600V/1200V HighSpeed H3
多様なトポロジーにおけるスイッチング速度の限界を超えたディスクリートIGBT
●優れたコストパフォーマンス
●低スイッチングおよび導通損失
●非常に優れたEMI動作
●遅延時間と電圧オーバーシュートを低減するための小さなゲート抵抗
●クラス最高のIGBT効率とEMI動作
600V/1200V HighSpeed3 H3メーカー製品サイト
650V TRENCHSTOP™ IGBT7 T7
●低い飽和電圧 VCE(sat)
●低い順方向電圧 VF
●ショートテール電流
●優れた制御性とEMI性能
●高湿度環境に対応
650V TRENCHSTOP™ IGBT7 T7メーカー製品サイト
650V TRENCHSTOP™ IGBT6
●きわめて低いVCE(sat)およびVF
●ブロッキング電圧650V
●8kHz～30kHz のスイッチング周波数に最適化
●特に高周波数において、優れた熱特性を発揮
●低消費電力要求に応える低い電力損失
650V TRENCHSTOP™ IGBT6メーカー製品サイト
1200V TRENCHSTOP™ IGBT
●S6シリーズでは、1.85V (VCE(sat))で低導通損失
●スイッチング周波数15～40kHz向けにスイッチング損失と導通損失の最適な組み合わせを実現
●高いRG制御性
●低いEMI
●フル定格で堅牢なフリーホイーリングダイオード
1200V TRENCHSTOP™ IGBT6メーカー製品サイト
自動車用IGBTディスクリート
●ブロッキング電圧 650V
●非常に低い導通損失とスイッチング損失
●接合部とケースの温度が非常に低い
●高出力密度設計
●高いデバイス信頼性
自動車用IGBTディスクリートメーカー製品サイト
その他IGBTディスクリート
IGBTモジュール
製品ラインアップ
EasyPACK™モジュール（低・中電力向け）
EasyPACK™モジュールは、信頼性が高く幅広い産業アプリケーションのモジュールソリューションとして最適です。
PIMまたは6パック構成として、、600 V/650 V/1200 Vの電圧クラスで6 A ～ 200 Aまでの幅広い電流クラスまでカバーしています。また、3レベルトポロジーでは最大400 Aクラスまでのポートフォリオをご用意しています。
従来のEasy 1B, Easy 2Bパッケージに加え、より高い出力が得られるEasy 3B, Easy 4Bパッケージのラインアップも加わりました。
EconoPACK™モジュール（低・中電力向け）
低・中容量向けのEconoモジュールは、コンパクトなインバーター設計、柔軟性、および最高レベルの信頼性で最適化された電気的性能の需要を満たすために開発されました。
中容量向けの製品ファミリーとして、EconoDUAL™、EconoPACK™ 4 そしてEconoPACK™+のパッケージをご用意しており、高さ17 mmで統一され、ネジ端子によってパワー段を簡単に組み立てができます。
また低容量向けにはPIM構成のEconoPIM™ そして EconoPACK™ シリーズをご用意しています。
エコノハウジングは、熱拡散を最適化するための銅ベースプレートを備えており、サーミスタ（NTC）が含まれています。
PrimePACK™モジュール（高電圧・高電力向け）
PrimePACK™ IGBTハーフブリッジおよび内部NTCを備えたチョッパーモジュールは、1200 Vおよび1700 VのTRENCHSTOP™ IGBTを搭載し、最新のコンバーターに統合するために特別に最適化されたコンセプトを提供します。
最も重要な利点として、高い信頼性および長い製品寿命、優れた熱特性、低浮遊インダクタンス、広い動作温度範囲、高い絶縁性を備えた内蔵NTCがあります。
XHP™モジュール（高電圧・高電力向け）
高出力IGBTモジュール用の新しいハウジングであるXHP™は、1.7 kV 〜 6.5 kVのIGBTチップの全電圧範囲をカバーするように設計されています。
技術革新により、同パッケージで電流クラスを拡張しました。これにより、システムの設計と製造が大幅に簡素化されます。
さらに、その堅牢なアーキテクチャにより、新しい高電圧向けパワープラットフォームは、厳しい環境条件のアプリケーションで長期的な信頼性を提供します。
XHP™3：3.3 kVまたは6.5 kVのアプリケーション向け
XHP™2：1.7 kVから3.3 kVの範囲のアプリケーション向け
車載用IGBTモジュール
インフィニオンは、車載に認定されたIGBTモジュールを幅広く提供しています。
5つの異なるパッケージのさまざまな製品バージョンにより、当社の主要な車載用シリコンおよびCoolSiC™テクノロジーを使用して、 400 V 〜 1200 Vの電圧クラスで50 A 〜 950 Aの電流定格という最大のスケーラビリティを実現します。
技術トピックス
TRENCESTOP™ IGBT7
IGBTおよびフリーホイールダイオードの最新のチップ世代です。
950 V/1200V TRENCHSTOP™ IGBT7およびEC7ダイオード技術は、電力損失を大幅に削減し、高い制御性を提供する最新のマイクロパターントレンチ技術に基づいています。
このチップは特に産業用ドライブ・アプリケーション向けに最適化されているため、導通損失を大幅低減し、高電力密度およびよりソフトなスイッチングを実現できます。
さらに、パワーモジュールで過負荷動作時の最大ジャンクション温度を175 ℃まで高めることにより、電力密度を大幅に高めることができます。
TIM
TIMはサーマル・インターフェース・マテリアルの略称です。
パワーエレクトロニクスの電力密度が増加し続けるにつれて、パワーモジュールとヒートシンクの間の放熱特性の改善がより大きな課題となっています。
インフィニオンのパワーモジュール用に特別に開発され、事前に塗布されたTIM材料は、入手可能な汎用材料よりも優れた性能を発揮します。
熱抵抗が最も低いだけでなく、パワーモジュールに与えられた最高の品質基準も満たし、最長の寿命と最高のシステム信頼性を実現します。
また、インフィニオンの既存のモジュールパッケージのほとんどと、今後の将来の設計に適合するように開発されています。
TIMが事前塗布されたモジュールを使用することで、パワーエレクトロニクス アプリケーションの熱特性を大幅に改善することができます。
