Infineon Technologies / F-RAM

インフィニオンのF-RAMは、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory)とも呼ばれ、非常に高速で消費電力が少なく、データを保持するためにバッテリーを必要としない不揮発性メモリです。
F-RAMは、強誘電体技術を使用しており、磁気抵抗メモリ(MRAM)やEEPROMと比較して、消費電力が少なく、書き込みサイクルが無制限であるため、データログアプリケーションに最適です。

メーカー製品サイト

EXCELON 強誘電体-RAM

製品ラインアップ

EXCELON™Ultra:産業用自動化用の高性能F-RAM

  • ピン数の少ない108MHzQSPIインターフェースで、バーストアクセス時間が35nsのパラレルインターフェイスと同じ速度を実現
  • 85°Cで15〜20年間継続的にデータを記録するための、100兆サイクルの読み取り/書き込み耐久性
  • マルチコンポーネントソリューション(SRAM +バッテリー+電源管理コントローラー)を置き換え可能

EXCELON™Auto:自動車用イベントデータレコーダー用の高信頼性F-RAM

  • AEC-Q100認定および機能安全(ISO 26262)準拠のメモリ
  • 20年間、10マイクロ秒ごとにデータをログに記録するための10兆サイクルの読み取り/書き込み耐久性
  • -40°Cから+125°Cまでのより高い自動車作動温度での堅牢な性能

EXCELON™LP:ポータブル医療機器およびウェアラブル向けの超低エネルギーF-RAM

  • 複数の省電力モード–休止状態、ディープパワーダウン、スタンバイ
  • EEPROMの200分の1のエネルギー、NORフラッシュの3,000分の1のエネルギー
  • 電源投入時のサージ電流を最小限に抑える突入電流制御
  • 1,000兆サイクルの読み取り/書き込み耐久性により、3,000年以上にわたってミリ秒ごとにデータをログに記録します
  • スモールフォームファクタ用の小さなフットプリント(〜10mm2)8ピンGQFNパッケージ

製品ポートフォリオ

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