Infineon Technologies / メモリ(F-RAM)

インフィニオンのF-RAMは、FeRAM（Ferroelectric Random Access Memory）とも呼ばれ、非常に高速で消費電力が少なく、データを保持するためにバッテリーを必要としない不揮発性メモリです。
F-RAMは、強誘電体技術を使用しており、磁気抵抗メモリ（MRAM）やEEPROMと比較して、消費電力が少なく、書き込みサイクルが無制限であるため、データログアプリケーションに最適です。

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EXCELON™Ultra：産業用自動化用の高性能F-RAM

• ピン数の少ない108MHzQSPIインターフェースで、バーストアクセス時間が35nsのパラレルインターフェイスと同じ速度を実現
• 85°Cで15〜20年間継続的にデータを記録するための、100兆サイクルの読み取り/書き込み耐久性
• マルチコンポーネントソリューション（SRAM +バッテリー+電源管理コントローラー）を置き換え可能

EXCELON™Auto：自動車用イベントデータレコーダー用の高信頼性F-RAM

• AEC-Q100認定および機能安全（ISO 26262）準拠のメモリ
• 20年間、10マイクロ秒ごとにデータをログに記録するための10兆サイクルの読み取り/書き込み耐久性
• -40°Cから+125°Cまでのより高い自動車作動温度での堅牢な性能

EXCELON™LP：ポータブル医療機器およびウェアラブル向けの超低エネルギーF-RAM

• 複数の省電力モード–休止状態、ディープパワーダウン、スタンバイ
• EEPROMの200分の1のエネルギー、NORフラッシュの3,000分の1のエネルギー
• 電源投入時のサージ電流を最小限に抑える突入電流制御
• 1,000兆サイクルの読み取り/書き込み耐久性により、3,000年以上にわたってミリ秒ごとにデータをログに記録します
• スモールフォームファクタ用の小さなフットプリント（〜10mm2）8ピンGQFNパッケージ

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