Infineon Technologies / パワー半導体
(ゲートドライバ IC/電源：EiceDRIVER™)

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パワーエレクトロニクスにはスイッチテクノロジーが使用されています。また、すべてのパワーデバイスには、最適なゲートドライバ・ソリューションが必要です。そのため、インフィニオンは、絶縁ゲートドライバ、レベルシフトゲートドライバ、非絶縁ローサイドゲートドライバなど、500種類以上のEiceDRIVER™ ゲートドライバソリューションを提供し、幅広いパワー半導体トポロジー、電力変換トポロジーの設計要件に対応しています。

ゲートドライバ IC (EiceDRIVER™)

ガルバニック絶縁型ゲートドライバIC

高性能と最先端の堅牢性を必要とするアプリケーション向けに設計
最先端のSiC MOSFET およびGaN スイッチに最適
最大18A の出力電流
短い伝搬遅延と遅延マッチング (7ns)
300kV/μs のCMTI
広範囲のゲート電圧(40V)
負のゲート電圧でのバイポーラ電源が可能

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レベルシフト型IC

ジャンクションアイソレーション(JI)とシリコンオンインシュレータ(SOI)、2タイプのレベルシフト型
業界標準のpn接合絶縁技術を採用したMOS/CMOS製造
HVICとラッチ耐性CMOSによる堅牢なモノリシック構造
高電圧のレベルシフト技術であるシリコンオンインシュレータ (SOI) 技術：内蔵BSDと高い堅牢性により、負の過渡電圧スパイクを保護

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ローサイドドライバIC

最新の0.13μmプロセスを利用
業界標準のDSO-8および小型フォームファクタSOT23とWSONパッケージを提供
UVLO、内蔵過電流保護などのオプションを提供

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ゲートドライバ電源 (EiceDRIVER™ Power)

EiceDRIVER™ Powerの特長

● 高精度なデューティサイクル調整
● 広いスイッチング周波数調整範囲
● バイパスモードによる同期(オプション)
● 低抵抗出力段
● 5段階調整可能な平均過電流保護
● 短絡保護 / 過熱保護
● Readyピンによるステータスフィードバック
● 小型、省スペースパッケージ
● 最小BOMコスト、面積削減

主な仕様

● 広い入力電源範囲：4.5 V～20 V
● 設定可能な過電流保護：60 mA … 650 mA
● 広い周波数範囲：50 kHz～695 kHz
● デューティサイクル調整範囲：10%～50%
● 最大出力電力最大：10 W

サンプル回路

絶縁ゲートドライバの“電源設計”をシンプルに

絶縁ゲートドライバを使うには、絶縁電源（ゲート用の+電源／-電源など）を用意する必要があります。
EiceDRIVER™ Power 2EP1xxRは、トランス駆動に必要な機能を集約し、ディスクリート構成と比べて部品点数と基板面積を削減します。
さらに、非対称出力電圧（例：+15V / -7.5Vなど）の生成にも柔軟に対応できます。

ディスクリートソリューション

2EP1xxR ソリューション

製品ラインアップ

型番	2EP100R	2EP101R	2EP110R	2EP130R 抵抗モード	2EP130R バイパスモード
周波数(GND)	65 kHz	50 kHz		R設定可能、41段階 332R…63400R 50 kHz..695 kHz	外部PWM信号 50 kHz..695 kHz 10%…50%
周波数(フォローティング)	103 kHz	65 kHz
デューティサイクル（GND）	33%	12%	R設定可能、41段階 332R…63400R 10%…50%		GND接続
デューティサイクル（フローティング）	50%	17%
平均過電流制限値（n.c.)	固定			R設定可能、5段階 332R…63400R 10%…50%

アプリケーション×ゲートドライバー電源の接続例

型番	回路図	アプリケーション_ ゲートドライバ電源
2EP100		IGBT +15 Ｖ / -7.5V
2EP101		SiC MOS +15 V / -2 or 3 V
2EP110		SiC MOS +15 V / -2…-5V
2EP100		SiC MOS 全IGBT