Infineon Technologies / パワー半導体
(ゲートドライバ IC：EiceDRIVER™)

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ゲートドライバ IC (EiceDRIVER™)

パワーエレクトロニクスにはスイッチテクノロジーが使用されています。また、すべてのパワーデバイスには、最適なゲートドライバ・ソリューションが必要です。そのため、インフィニオンは、絶縁ゲートドライバ、レベルシフトゲートドライバ、非絶縁ローサイドゲートドライバなど、500種類以上のEiceDRIVER™ ゲートドライバソリューションを提供し、幅広いパワー半導体トポロジー、電力変換トポロジーの設計要件に対応しています。

ガルバニック絶縁型ゲートドライバIC
  • 高性能と最先端の堅牢性を必要とするアプリケーション向けに設計
  • 最先端のSiC MOSFET およびGaN スイッチに最適
  • 最大18A の出力電流
  • 短い伝搬遅延と遅延マッチング (7ns)
  • 300kV/μs のCMTI
  • 広範囲のゲート電圧(40V)
  • 負のゲート電圧でのバイポーラ電源が可能

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レベルシフト型IC
  • ジャンクションアイソレーション(JI)とシリコンオンインシュレータ(SOI)、2タイプのレベルシフト型
  • 業界標準のpn接合絶縁技術を採用したMOS/CMOS製造
  • HVICとラッチ耐性CMOSによる堅牢なモノリシック構造
  • 高電圧のレベルシフト技術であるシリコンオンインシュレータ (SOI) 技術：内蔵BSDと高い堅牢性により、負の過渡電圧スパイクを保護

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ローサイドドライバIC
  • 最新の0.13μmプロセスを利用
  • 業界標準のDSO-8および小型フォームファクタSOT23とWSONパッケージを提供
  • UVLO、内蔵過電流保護などのオプションを提供

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