Infineon Technologies / ソリューション（GaNオーディオアンプ）

ハイエンド・車載オーディオは、音楽の感動を余すことなく届けるために、高音質と高効率の両立が常に求められてきました。
近年、その要求に応えるデバイスとして注目されているのが、GaN（窒化ガリウム）パワーデバイスです。

インフィニオンの CoolGaN™ テクノロジーは、低オン抵抗と高速スイッチング特性を特長とし、従来のSi MOSFETでは制約となっていた損失やノイズの課題を大きく改善します。
これにより、小型化・省電力化・ノイズ低減に加え、高いスイッチング周波数を活かした設計自由度の向上が可能となります。

GaN HEMTデバイスは、Si MOSFETと比較してスイッチング損失、ゲート駆動特性、実装サイズの面で優位性を持ち、オーディオ用途においては、高音質化と省スペース設計の両立に大きく寄与します。

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検討・設計のフェーズではいろいろな技術課題が出てきます。

こういった技術課題に対してソリューションをご用意しています。

GaNデバイス車載グレード品のリリース
「IGB110S10S1」および「IGC033S10S1」については、車載用電子部品の信頼性規格「AEC-Q101」に準拠した100V耐圧の車載グレード品として、それぞれ「IGB110S10S1Q」および「IGC033S10S1Q」が新たにリリースされました。
今後も車載向けGaNソリューションのポートフォリオ拡充を継続する方針であり、HV GaNトランジスタや双方向GaNスイッチを含むAEC-Q101準拠品のサンプル提供もすでに開始しています。

インフィニオン社のClass Dオーディオ評価ボード「REF_AUDIO_GANB_750W」はCoolGaN™ 100Vトランジスタを採用し、ヒートシンクなしで最大375W×2ch（2Ω負荷時）の出力を実現します。
GaNデバイスの高速スイッチング特性を活かし、スイッチング周波数を1MHzに最適化しています。
これにより、出力フィルタ部品の小型化、スイッチングノイズの効率的な除去、高域オーディオ特性の改善を同時に達成します。さらに短絡保護、過電流保護、過熱保護、減電圧保護などの機能も備えています。
こちらの評価ボードをお使いいただくことで特性評価、音質評価、温度上昇試験などの検証環境を迅速に構築でき試作検討期間の短縮ができます。

オーディオ・ホームシアターを中心に、音に関わる最新技術や製品が一堂に会する日本最大級のオーディオイベント「OTOTEN2026」に、インフィニオン テクノロジーズと東京エレクトロンデバイスは共同出展しました。
本動画では、インフィニオン テクノロジーズの本田氏と、オーディオ専門誌『Stereo』『MJ』で技術解説を行う柴崎氏が登場し、GaNデバイスを用いたオーディオアンプについて、その原理や音質への影響を技術的な視点から語り合います。

デモの詳細につきましては、お問い合わせフォームよりお気軽にご連絡ください。
ご要望やご検討内容をお伺いしたうえで、実機デモをご案内いたします。
担当者の訪問対応も可能です。