Infineon Technologies / パワー半導体(AC-DCコンバータ)
CoolSET™ PWM Fixed Frequency Gen5 Pro
インフィニオンのCoolSET™ PWM Fixed Frequency Gen5 Pro(CoolSET™ PWM FF Gen5 Pro)は、フライバックPWMコントローラで、外付けSiC/Si MOSFET駆動に対応しつつ高電圧入力に対応します。
1700V駆動 × 可変ゲート電圧10/15/18V”でSiCのポテンシャルを最大化。CoolSET™ Gen5 Proは、高電圧補助電源をよりシンプルに、より高効率に進化させます。
特長
- ● 外付け CoolMOS™ / CoolSiC™ / Si MOSFETを駆動
- ● 外付け抵抗値設定により、ゲート電圧を 10 V/15 V/18 V から選択可能
- ● 外付け CoolSiC™ / CoolMOS を介した VCC 充電により高速起動を実現
- ● 最大100Wクラスに対応
- ● 耐圧・損失・電力レンジをシステム要件に合わせて柔軟に設計可能
- ● 絶縁/非絶縁フライバックの両方に対応高機能(保護機能、ソフトスタート、低EMI、CCM対応など)
PWM FF Gen5 Pro
- ICE501LD
- ICE502LD
- ICE501MD
- ICE502MD
特長
- 最大1700VのCoolSiC™を駆動可能
- 65 kHz および 100 kHzに対応
- 絶縁/非絶縁フライバックトポロジーの両方に対応
- 充実した保護機能を搭載
- カスコード構成
- ゲート電圧選択可能:10V / 15V / 18V
PWM FF Gen5 Pro
- ICE501LD
- ICE502LD
- ICE501MD
- ICE502MD
特長
- 最大1700VのCoolSiC™を駆動可能
- 65 kHz および 100 kHzに対応
- 絶縁/非絶縁フライバックトポロジーの両方に対応
- 充実した保護機能を搭載
- カスコード構成
- ゲート電圧選択可能:10V / 15V / 18V
PWM FF Gen5 Pro
- ICE501LD
- ICE502LD
- ICE501MD
- ICE502MD
特長
- 最大1700VのCoolSiC™を駆動可能
- 65 kHz および 100 kHzに対応
- 絶縁/非絶縁フライバックトポロジーの両方に対応
- 充実した保護機能を搭載
- カスコード構成
- ゲート電圧選択可能:10V / 15V / 18V
ブロック図およびシステム/アプリケーション構成
製品ポートフォリオ
| 型番 | ICE501LD | ICE501MD | ICE502LD | ICE502MD |
| 刻印 | 501L | 501M | 502L | 502M |
| 入力電圧範囲:85VAC~440VAC | 70W | 105W | ||
| 入力電圧範囲:200VAC~1000VAC | 79W | 114W | ||
| スイッチング周波数制御方式 | 65 kHz | 100 kHz | 65 kHz | 100 kHz |
| パッケージ | DSO-8 | |||
CoolSET™ SiP(System in Package)
さらにインフィニオンのCoolSET™‑SiPは、制御・MOSFET・二次側制御・絶縁フィードバックまでワンチップ化し、電源設計を究極までシンプルにするソリューションです。外付け部品の削減による設計簡素化と高い電力密度を実現し、フライバックコンバータに最適化されています。また、最新のCoolMOS™/CoolSiC™ MOSFET技術を採用することで低損失化を実現し、優れた効率性能を提供するとともに、保護機能を内蔵することで高い信頼性と堅牢性を確保しています。
小型・高効率・高信頼性を兼ね備えたソリューションとして、アダプター、充電器、家電電源など幅広いアプリケーションに適用可能です。
特長
- ● CoolSET™ SiP: Flybackコントローラ, CoolMOS™ / CoolSiC™ MOSFET, 二次側制御部, 一次・二次間伝達機能をワンチップ化したデバイス
- ● ZVSスイッチによる低スイッチング損失
- ● 出力電力範囲: 30 – 100W
- ● 出力電圧範囲: 12V専用 (二次側UVLOおよび耐圧による制限、Gen 2で拡張予定)
System-in-package (SiP) -高集積化(一次側+二次側)
- CoolMOS™ P7、PWMコントローラ、CT Link 絶縁通信、SRコントローラ、二次側制御を統合し、部品点数を削減
- 出力電力:最大 60 W(提供中)、将来 100 W 対応(EES 対応予定)
- トポロジー:高度な SR 制御アルゴリズムを用いた新しい ZVS フライバック動作最大 150 kHz 動作により高効率を実現
- ヒステリシスモード動作向けに電源電流を最適化し、待機時消費電力を低減
InfineonのCT Link技術(絶縁通信ソリューション)
CoolSET™ SiP内部のCT Link構造
CT Linkによる絶縁通信の特長
CT Linkは、チップ内コイルを用いた磁気結合により、安全かつ高耐ノイズな絶縁通信を実現するインフィニオンの独自技術です。
この 技術により、CoolSET™ SiP 内部で高信頼・高耐ノイズな絶縁通信を実現します。
- 強い磁界耐性を備えたガルバニック絶縁通信
- チップ内部の金属配線層をコイルとして使用
- 一次側と二次側の巻線を SiO₂(酸化シリコン)で絶縁
- 垂直方向の磁束を最大化するよう設計されたコイル構造
- EMI/MFI 耐性を高める周辺シールリング構造
- 20 年以上の量産実績
- 現在量産中の第 4 世代技術
- CoolSET™ SiP は対象アプリケーション向けの絶縁認証を取得予定
-IEC 60747-17 (VDE 0884-11) : Q2 2026
-UL 1577 : Q1 2026
製品ポートフォリオ/ロードマップ
出力・電圧・機能の組み合わせで構成された製品ポートフォリオ
- ● 30W~60W:CoolMOS™(800V / 950V)を採用
- ● 70W~100W:CoolSiC™(800V)を採用
| s出力 | MOSFET | LMシリーズ | EMシリーズ | XMシリーズ | ZCMシリーズ |
| 30W | CoolMOS™ | ICE183LM | ICE183EM | ICE183XM | ICE183ZCM |
| 45W | CoolMOS™ | ICE184LM | ICE184EM | ICE184XM | ICE184ZCM |
| 60W | CoolMOS™ | ICE186LM | ICE186EM | ICE186XM | ICE186ZCM |
| 75W | CoolSiC™ | ICE188LM | |||
| 85 | CoolSiC™ | ICE189LM | |||
| 100W | CoolSiC™ | ICE180LM | |||
| 30W | CoolMOS™ | ICE193LM |