富士通セミコンダクターメモリソリューション / FeRAM
特長
●不揮発性：電源を切ってもデータが消えない
●低消費電力：電源オフ時はデータ保持の消費電力はゼロ
●高速書き込み：瞬時停電や停電でも書き込み中のデータを保護
●高書き換え耐性：最大1アドレスあたり100兆回の書き換えを保証
●高セキュリティ：データ保持が電荷蓄積ではなく結晶の分極のため、不正解析の難易度が高い
●瞬時停電でもデータを保護：高速書き込みにより電源停止前にデータの保護が可能
(EEPROMは書き込み速度が遅いため、対策なしでは電源喪失時の書き込みデータは無効)
各種メモリとの比較
| メモリ | SRAM | Flash | EEPROM | FeRAM |
| データ保持 | 揮発性 | 不揮発性 | ||
| 書換え方法 | 重ね書き | 消去 + 書込み | 重ね書き | |
| 書込み時間 | 45ns | 10μs | 10ms | 150ns |
| 書換え回数 | 無制限 | 105 | 106 | 1014 |
| 消費電力費 | 0.3 | 90 | 70000 | 1 |
| 読出し時間 | 45ns | 45ns | 200ns | 150ns |
| 読出し回数 | 無制限 | 1014 | ||
EEPROMとの書込み速度比較
●FeRAMは、EEPROMよりも6.6万倍の高速書込み
●瞬停直前までデータログの取得が可能
