Everspin Technologies / スピントルク型MRAM(STT-MRAM)

新アーキテクチャSTT(Spin-transfer Torque)による産機・IoT機器向けのシリアルMRAM製品を量産開始しました。
STT-MRAMは垂直磁化異方性(Perpendicular Magnetic Anisotropy)を備えた垂直MTJ(Magnetic Tunnel Junction)によって、
高いデータ保持性能、書き換え耐性を維持しつつ、セルサイズを小さくし、より高密度で低消費電力の製品を提供します。

仕様

不揮発性 : 高温ワーストケースで10年保証
書換え回数 : Write 1014回以上、Read 回数無制限
メモリ容量 : 4Mbから128Mbまで、更なる大容量化予定あり
インターフェース : xSPIシリアル、実装後初回のみ初期化必要
温度範囲 : -40C to 105C, HR品で125C対応
信頼性 : 優れたソフトエラー耐性、ECC内蔵、磁気シールド無しでより優れた磁気耐性

動作原理

垂直MTJ素子はトンネルバリアを隔てて、下部固定層と上部可動層の強磁性膜が分極されています。
リード時:上部可動層の磁化方向による垂直MTJ 素子の抵抗値の違いを読み取ります。
ライト時:垂直MTJ素子を通過する電流(分極電流)の方向によって、上部可動層の磁化方向を変化させる事でデータ書込みを行います。

電源を遮断した後でも、MTJの磁化方向は安定的に残り、MRAMのデータが保持されます。

STT-MRAM動作原理

トグルタイプMRAM vs. スピントルク型MRAM(STT-MRAM)

トグルタイプMRAM
スピントルク型MRAM(STT-MRAM)
インターフェイス SPI, QSPI, Parallel I/F xSPI (EXpanded Serial Peripheral Interface) : OSPI, QSPI, QSPI(SC version)
メモリ容量 128Kb to 32Mb 4Mb to 128Mb
不揮発性 20年 10年 (ワーストケース)
書換え回数 無制限 1014回(SC versionは 4×1012回)
動作温度範囲 -55C to 125C -40C to 105C
コア電圧(Typ.) 3.3V 1.8V
最大磁気耐性 12,000A/m 350Oe (27,853A/m)
初期化 不要 必要(実装後の初回のみ)

 

ラインアップ

xSPI Octal(200MHz)/Quad(133MHz)、Quad(108MHz SC version)

製品名 容量 最大クロック周波数
電源電圧 温度範囲※2 パッケージ ステータス※3
EM128LXOA 128Mb 200MHz 1.8V C,I,E 24-BGA MP
EM128LXQA 133MHz 24-BGA, 8-DFN(6x8mm)
EM064LXOA 64Mb 200MHz 1.8V C,I,E 24-BGA MP
EM064LXQA 133MHz 24-BGA, 8-DFN(6x8mm)
SC version 108MHz I
EM032LXOA 32Mb 200MHz 1.8V C,I,E 24-BGA MP
EM032LXQA 133MHz 24-BGA, 8-DFN(6x8mm)
SC version 108MHz I
EM016LXOB 16Mb 200MHz 1.8V C,I,E 24-BGA MP
EM016LXOB 133MHz 24-BGA, 8-DFN(5x6mm)
SC version 108MHz I
EM008LXOB 8Mb 200MHz 1.8V C,I,E 24-BGA MP
EM008LXOB 133MHz 24-BGA, 8-DFN(5x6mm)
SC version 108MHz I
EM004LXOB 4Mb 200MHz 1.8V C,I,E 24-BGA MP
EM004LXOB 133MHz 24-BGA, 8-DFN(5x6mm)
SC version 108MHz I

*2:温度範囲  C:0~70℃  I:-40~85℃  E:-40~105℃  *3 : MP : Mass Production

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