RAMXEED / FeRAM
特長
●不揮発性：電源を切ってもデータが消えない
●低消費電力：電源オフ時はデータ保持の消費電力はゼロ
●高速書き込み：瞬時停電や停電でも書き込み中のデータを保護
●高書き換え耐性：最大1アドレスあたり100兆回の書き換えを保証
●高セキュリティ：データ保持が電荷蓄積ではなく結晶の分極のため、不正解析の難易度が高い
●瞬時停電でもデータを保護：高速書き込みにより電源停止前にデータの保護が可能
(EEPROMは書き込み速度が遅いため、対策なしでは電源喪失時の書き込みデータは無効)
各種メモリとの比較
| 項目 | FeRAM | EEPROM | フラッシュメモリ | SRAM |
| メモリタイプ | 不揮発性 | 不揮発性 | 不揮発性 | 揮発性 |
| データ保持用 バッテリー |
不要 | 不要 | 不要 | 必要 |
| 書換え回数 | 100兆回 | 100万回 | 10万回 | 無制限 |
| 書込み方法 | 重ね書き | 消去 + 書込み | 消去 + 書込み | 重ね書き |
| 書込み時間 | 120ns | 5ms | 10μs | 55μs |
| 昇圧回路 | 不要 | 必要 | 必要 | 不要 |
EEPROMとの書込み速度比較
●FeRAMは、EEPROMよりも6.6万倍の高速書込み
●瞬停直前までデータログの取得が可能
