Infineon Technologies / パワー半導体(HEMT：GaN)
HEMT GaN（高電子移動度トランジスタ）
GaNデバイスは、最大700 Vの電圧範囲で効率的な電力変換を実現し、高速スイッチングと低損失を提供します。豊富なパッケージオプションと迅速な市場投入が可能で、業界標準を超える基準に適合しています。GaN技術はシステム性能を向上させ、コスト削減と使いやすさを実現します。
インフィニオンではCoolGaN™ファミリで最大700Vの電圧範囲での電力変換に向けた高い効率性を誇るGaNトランジスタ技術を展開しています。
CoolGaN™ トランジスタ
インフィニオンのCoolGaN™は電圧範囲60V～700Vのノーマリーオフのトランジスタです。本記述はインフィニオンの長年にわたるイノベーションから生まれたもので、業界最大の知的財産ポートフォリオとなっています。
CoolGaN™ トランジスタの特長
- 60 V～700 VのGaNトランジスタ
- 4 A～150 Aでの選択可能
- 幅広いパッケージセレクション
- 超高速スイッチング
- 逆回復電荷なし
- 低ゲート電荷、低出力電荷
- 優れたFOM
ショットキーダイオード内蔵CoolGaN™
従来のGaNトランジスタは高効率・高速スイッチングが可能な一方、逆導通損失やデッドタイム損失が課題であり、それらを補うためには外付けダイオードや複雑な制御が必要となり、設計負荷や部品コストが増加していました。
ショットキーダイオード内蔵CoolGaN™トランジスタはトランジスタ内部にショットキーダイオードを統合することで、大幅な逆導通損失の低減・デッドタイム設計の自由度の向上につながり、電力変換効率が改善されました。
さらに外付け部品の削減により、回路設計が簡素化され、BOMコストの低減を実現します。
- 3mm × 5mmのRQFNパッケージにGaNトランジスタとショットキーダイオードを統合
- デッドタイム損失の低減により、電力変換効率が向上
- 外付けダイオード不要で、部品点数の削減と設計の簡素化が可能
- BoM（部品表）コストの低減
- ハイサイドゲートドライバとの互換性が向上し、設計自由度が向上
ポートフォリオ
HV電流駆動
| ファミリ | CoolGaNTM Transistors 650V G5 | CoolGaNTM Transistors 700V G5 | ||||||
| RDS(on,typ) [mΩ] |
650V | 700V | ||||||
| ThinPAK 5×6 | ThinPAK 8×8 | DFN 8×8 | DSO TSC | TOLL | TOLT | DPAK | ThinPAK 5×6 | |
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| 500 | IGD70R500D2S | |||||||
| 270 | IGLR65R270D2 | IGD70R270D2S | IGLR70R270D2S | |||||
| 200 | IGLR65R200D2 | IGD70R200D2S | IGLR70R200D2S | |||||
| 140 | IGLR65R140D2 | IGL65R140D2 | IGLD65R140D2 | IGT65R140D2 | IGD70R140D2S | IGLR70R140D2S | ||
| 110 | IGL65R110D2 | IGLD65R110D2 | IGLT65R110D2 | |||||
| 80 | IGL65R080D2 | IGLD65R080D2 | ||||||
| 55 | IGL65R055D2 | IGLD65R055D2 | IGOT65R055D2 | IGT65R055D2 | IGLT65R055D2 | |||
| 45 | IGOT65R045D2 | IGT65R045D2 | IGLT65R045D2 | |||||
| 35 | IGOT65R035D2 | IGT65R035D2 | IGLT65R035D2 | |||||
| 25 | IGOT65R025D2 | IGT65R025D2 | IGLT65R025D2 | |||||
MV電圧駆動
| ファミリ | G3 | ||||
| RDS(on,typ) [mΩ] |
RDS [V] |
PQFN 3×5 DSC |
PQFN 3×5 BSC |
PQFN 3×3 BSC |
PQFN 3×3 DSC |
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| 1.3 | 60 | IGC019S06S1 | |||
| 1.8 | 80 | IGC025S08S1 | |||
| 2.4 | 100 | IGC033S10S1 | IGC033S101 | ||
| 5.0 | IGB070S10S1 | ||||
| 9.4 | IGB110S101 | IGB110S10S1 | |||
| 2.7 | 120 | IGC037S12S1 | |||
| 6.7 | 200 | IGC100S20S1 | |||
CoolGaN™ BDS
モノリシック双方向スイッチ（BDS）の本製品ファミリは、インフィニオンのCoolGaN™トランジスタ技術を採用しています。BDSデバイスは、双方向の電圧を遮断します。オプションには40V、650V、850Vがあります。
HV（高電圧）の特長
- ● ４つの動作モードを備えたノーマリーオフの双方向650 Vスイッチ
- ● 基板端末と独立した絶縁制御を備えた分離した2つのゲート
- ● ドレイン共通設定
- ● 同じドリフト領域を使い、双方向の電圧を遮断
MV（中電圧）の特長
- ● 両方向で電圧をブロック
- ● シングルゲートと共通ソース設計により、back to back MOSFETを置き換えるために最適化
- ● 低コストでプリント基板面積を50～75％、電力損失を50％以上削減
- ● 同じドリフト領域を使い、双方向の電圧を遮断
| ファミリ | CoolGaNTM BDS 650V | CoolGaNTM BDS 40V | |
| RS-S(on,typ)[mΩ] | RS-S(on,max)[mΩ] | TOLT | |
| 110 | 140 | IGLT65R110B2 | |
| 55 | 70 | IGLT65R055B2 | |
| 35 | 42 | IGLT65R035B2 | |
| RDD(on, typ) 6mΩ |
RDD(on, max) 8mΩ |
IGK080B041S | |
CoolGaN™ スマート
電力損失のない電流検出、幅広い保護機能など、業界をリードする統合ユーティリティを備えている、CoolGaN™トランジスタ製品ファミリです。
CoolGaN™ スマートの特長
- トランジスタと1パッケージ化：フットプリントはトランジスタのみのパッケージと互換
- コントローラーCS に接続し、ピーク電流制御およびOC 保護を実行
- 電流検出応答時間は最大200 nsで、標準的なコントローラーのブランキング時間と同等もしくはそれ以下
CoolGaN™ Drive
インフィニオンのシングルサイドおよびハーフブリッジソリューションのGoolGaN™ Driveファミリはさまざまなパッケージオプションのあるインテリジェントゲートドライバと統合された高性能GoolGaN™トランジスタからなり、堅牢で高性能な製品ラインアップになっています。
CoolGaN™ Driveの特長
- ゲートドライバ、ブートストラップダイオード、電力損失のない電流検出、ターンオン、ターンオフdV/dtを搭載
- 豊富な保護機能: 過電流保護 (OCP)、過熱保護 (OTP)、短絡保護 (SCP)
- 低コストLGA (6×8) パッケージ、140 mΩ～500 mΩ
- PQFN (5×6)および (6×8) パッケージ、55 mΩ～500 mΩ
ポートフォリオ
| RDS(on, typ) [mΩ] |
シングル | ハーフブリッジ | |
| PQFN 5×8 | PQFN 6×8 | PLGA 6×8 | |
| 500 | IG170N500A2PS | IG170N500A2MS | IG60L5050B1M |
| 270 | IG170N270A2PS | IG170N270A2MS | IG60L2727B1M |
| 200 | IG170N200A2PS | IG170N200A2MS | |
| 140 | IG170N140A2PS | IG170N140A2MS | IG60L1414B1M |
| 100 | IG170N100A2MS | ||
| 70 | IG170N070A2MS | ||
| 70 | IG170N055A2MS | ||
CoolGaN™ Control
パワーICソリューションのGoolGaN™ Controlファミリは、業界をリードするGoolGaN™トランジスタをインフィニオンのEZ-PD™コントローラと組み合わせることで、製造の複雑さと総システムコストを削減し、最大の効果と電力密度を実現します。