Excelitas Technologies / シリコン・InGaAsアバランシェフォトダイオード(APD)
800nmピーク感度シリコンアバランシェフォトダイオード(APD)
C30737XH-230/500-80
| 受光径 |
230/500um |
| ブレークダウン電圧 |
120-210V |
| ゲイン@800nm |
100 |
| 暗電流(typ) |
0.05/0.1nA |
| ノイズ電流(typ) |
0.1pA/√Hz |
900nmピーク感度シリコンアバランシェフォトダイオード(APD)
C30737XH-230/500-90
| 受光径 |
230/500um |
| ブレークダウン電圧 |
180-260V |
| ゲイン@900nm |
100 |
| 暗電流(typ) |
0.05/0.1nA |
| ノイズ電流(typ) |
0.1pA/√Hz |
905nm フィルタオプション
ピッグテールInGaAsアバランシェフォトダイオード(APD)
C30733BQC-01
| 受光径 |
30um |
| ブレークダウン電圧 |
50V |
| ゲイン@1550nm |
40 |
| 暗電流(typ) |
0.5nA |
| ノイズ電流(typ) |
0.3pA/√Hz |
TO-CAN InGaAsアバランシェフォトダイオード(APD)
C30733EH-1
| 受光径 |
30um |
| ブレークダウン電圧 |
50V |
| ゲイン@1550nm |
40 |
| 暗電流(typ) |
0.5nA |
| ノイズ電流(typ) |
0.3pA/√Hz |
