Excelitas Technologies / シリコン・InGaAsアバランシェフォトダイオード(APD)
800nmピーク感度シリコンアバランシェフォトダイオード(APD)
C30737XH-230/500-80
受光径 |
230/500um |
ブレークダウン電圧 |
120-210V |
ゲイン@800nm |
100 |
暗電流(typ) |
0.05/0.1nA |
ノイズ電流(typ) |
0.1pA/√Hz |
900nmピーク感度シリコンアバランシェフォトダイオード(APD)
C30737XH-230/500-90
受光径 |
230/500um |
ブレークダウン電圧 |
180-260V |
ゲイン@900nm |
100 |
暗電流(typ) |
0.05/0.1nA |
ノイズ電流(typ) |
0.1pA/√Hz |
905nm フィルタオプション
ピッグテールInGaAsアバランシェフォトダイオード(APD)
C30733BQC-01
受光径 |
30um |
ブレークダウン電圧 |
50V |
ゲイン@1550nm |
40 |
暗電流(typ) |
0.5nA |
ノイズ電流(typ) |
0.3pA/√Hz |
TO-CAN InGaAsアバランシェフォトダイオード(APD)
C30733EH-1
受光径 |
30um |
ブレークダウン電圧 |
50V |
ゲイン@1550nm |
40 |
暗電流(typ) |
0.5nA |
ノイズ電流(typ) |
0.3pA/√Hz |
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