Excelitas Technologies / シリコン・InGaAsアバランシェフォトダイオード(APD)

800nmピーク感度シリコンアバランシェフォトダイオード(APD)

C30737XH-230/500-80

受光径 230/500um
ブレークダウン電圧 120-210V
ゲイン@800nm 100
暗電流(typ) 0.05/0.1nA
ノイズ電流(typ) 0.1pA/√Hz

900nmピーク感度シリコンアバランシェフォトダイオード(APD)

C30737XH-230/500-90

受光径 230/500um
ブレークダウン電圧 180-260V
ゲイン@900nm 100
暗電流(typ) 0.05/0.1nA
ノイズ電流(typ) 0.1pA/√Hz

905nm フィルタオプション

ピッグテールInGaAsアバランシェフォトダイオード(APD)

C30733BQC-01

受光径 30um
ブレークダウン電圧 50V
ゲイン@1550nm 40
暗電流(typ) 0.5nA
ノイズ電流(typ) 0.3pA/√Hz

TO-CAN InGaAsアバランシェフォトダイオード(APD)

C30733EH-1

受光径 30um
ブレークダウン電圧 50V
ゲイン@1550nm 40
暗電流(typ) 0.5nA
ノイズ電流(typ) 0.3pA/√Hz

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