2012年11月22日
＜電子部品関連＞
エバースピン社の世界初64Mb Spin Torque MRAMの限定出荷開始を発表
〜高信頼性、省エネのハイエンドストレージを実現〜
東京エレクトロン デバイス株式会社(本社:横浜市神奈川区、代表取締役社長:栗木 康幸、以下TED) は、Everspin Technologies, Inc.（エバースピン・テクノロジーズ 本社：米国アリゾナ州、President and CEO：Phill LoPresti、以下エバースピン社）の64Mb Spin Torque Magnetoresistive RAM(以下ST-MRAM) の限定出荷が開始されたことを発表いたします。
次世代不揮発性メモリとして注目されているMRAMは、DRAMの高速性と書き換え耐性に加えて、不揮発性を兼ね備えたデバイスで、電源オフでも長期間のデータ保持を実現します。MRAMセルは、トランジスタ一つとMTJ（Magnetic Tunnel Junction)メモリセル一つから構成されるシンプルな構造をしており、ギガビットクラスへの大規模集積化が期待されています。
世界で初めて市販品としてのサンプル出荷が開始されたエバースピン社のST-MRAMは、64Mb DDR3インタフェースを搭載していて、IO毎の転送速度は1600MT/Sec(Million Transfers per second)で、メモリバンド幅は3.2GB/Secをサポートします。
限定出荷を開始した64Mb DDR3 ST-MRAMは、RAIDストレージやSSDのバッファーメモリおよびキャッシュメモリへの採用により、電断時のデータ保持や書き換え耐性の改善、さらには部品点数の削減を実現するため、より信頼性の高い、省エネ型の機器開発に貢献します。
今後、より高速で大容量のST-MRAMや搭載ボードのリリースも予定されており、順次ご案内を進めていきます。エバースピン社製品はTED関連会社のパネトロン株式会社が取り扱います。
【製品写真ダウンロード】
http://www.teldevice.co.jp/news_release/download/stmram.zip
※ このニュース リリースに記載されている会社名、製品名は、各社の登録商標または商標です。
【エバースピン・テクノロジーズ社（Everspin Technologies, Inc.）について】
米国アリゾナ州に本社を置くエバースピン・テクノロジーズ社は、磁気抵抗を用いたランダムアクセスメモリ “MRAM” の開発と生産で世界をリードする企業です。米国大手半導体メーカであるフリースケール・セミコンダクタ社により研究開発が進められたMRAM技術は、2006年に世界で初めて製品化され、その後2008年6月に同社からスピンアウトしてエバースピン・テクノロジーズ社が設立されました。
URL：http://www.everspin.com/
【東京エレクトロン デバイス株式会社について】
東京エレクトロンデバイスは、半導体製品やビジネスソリューション等を提供する「商社ビジネス」と、お客様の設計受託や自社ブランド商品の開発を行う「開発ビジネス」を有する技術商社です。
URL：http://www.teldevice.co.jp/
【本件に関する報道関係からのお問合せ先】
東京エレクトロン デバイス株式会社 広報・ＩＲ室 堀田・福井
Tel：045-443-4005、Fax：045-443-4050
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【本製品に関するお客様からのお問合せ先】
パネトロン株式会社 プロダクト営業推進部 菱田・中村
Tel：045-443-4645、Fax：045-443-4051
お問い合わせフォーム：https://www.teldevice.co.jp/product/everspin/contact.php
